特許
J-GLOBAL ID:200903096088709686
光電変換装置及びその駆動方法並びに情報処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-348894
公開番号(公開出願番号):特開2002-237614
出願日: 2001年11月14日
公開日(公表日): 2002年08月23日
要約:
【要約】【課題】 光電変換装置の受光素子の残像特性を向上させる。【解決手段】 第1導電型の第1半導体領域13及び、第1半導体領域13に隣接し光電変換された電荷を蓄積するための第2導電型の第2半導体領域14を有する受光素子と、第2半導体領域14に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すための読み出し用配線24と、第2半導体領域14の受光部を間に挟むように受光面に沿って互いに離間して設けられ、かつ第1半導体領域13に接続された少なくとも一対の電極部19,20とを備えている。そして、一対の電極部19,20には、第2半導体領域14の受光部を完全空乏化するとともに、第2半導体領域14に蓄積される電荷(ホール)を読み出し用配線24側に移動させるための電位勾配を生じさせ得る電圧ΔVが印加される。
請求項(抜粋):
光電変換装置において、第1導電型の第1半導体領域及び、前記第1半導体領域に隣接し光電変換された電荷を蓄積するための第2導電型の第2半導体領域を有する受光素子と、前記第2半導体領域に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すための読み出し用電極と、前記第2半導体領域の受光部を間に挟むように受光面に沿って互いに離間して設けられ、かつ前記第1半導体領域に接続された少なくとも一対の電極部とを備え、前記一対の電極部には、前記第2半導体領域の受光部を完全空乏化するとともに、前記第2半導体領域に蓄積される電荷を前記読み出し用電極側に移動させるための電位勾配を生じさせ得る電圧が印加されることを特徴とする光電変換装置。
IPC (6件):
H01L 31/10
, G01T 1/20
, H01L 27/14
, H01L 27/146
, H01L 31/09
, H04N 5/335
FI (8件):
G01T 1/20 E
, H04N 5/335 E
, H01L 31/10 A
, H01L 31/10 G
, H01L 31/10 H
, H01L 31/00 A
, H01L 27/14 A
, H01L 27/14 K
Fターム (62件):
2G088EE01
, 2G088FF02
, 2G088GG13
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ31
, 2G088JJ33
, 2G088KK05
, 2G088LL11
, 2G088LL12
, 2G088LL18
, 4M118AA01
, 4M118AA04
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA20
, 4M118CB11
, 4M118DB14
, 4M118DB20
, 4M118FA08
, 4M118FA34
, 4M118FA42
, 4M118GA10
, 5C024AX01
, 5C024AX16
, 5C024CX17
, 5C024CY42
, 5C024EX03
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024GZ36
, 5C024HX40
, 5C024HX46
, 5F049MA02
, 5F049NA20
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049RA02
, 5F049RA08
, 5F049UA13
, 5F049UA14
, 5F049WA07
, 5F088AA02
, 5F088BA20
, 5F088BB02
, 5F088BB03
, 5F088BB07
, 5F088EA03
, 5F088EA04
, 5F088EA07
, 5F088EA08
, 5F088FA09
, 5F088FA11
, 5F088FA12
, 5F088FA14
, 5F088JA17
, 5F088LA07
, 5F088LA08
引用特許:
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