特許

J-GLOBAL ID：200903096090595884

3-5族化合物半導体の気相成長方法

発明者： 家近 泰 ,  高田 朋幸 ,  小野 善伸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030065
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240373
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】Inを効率的に取り込むのに適した低温の成長においても、炭素不純物の少ない、3族元素として少なくともGaとIn、5族元素として少なくともNを含有する高品質の3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法を提供することにある。【構成】3族元素として少なくともGaとIn、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法において、Gaの原料として少なくともトリエチルガリウムを用い、Inの原料として少なくともトリアルキルインジウムを用い、Nの原料として少なくともヒドラジンを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法。

請求項（抜粋）：

3族元素として少なくともGaとIn、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法において、Gaの原料として少なくともトリエチルガリウムを用い、Inの原料として少なくともトリアルキルインジウムを用い、Nの原料として少なくともヒドラジンを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法。