特許

J-GLOBAL ID：200903096094908569

基板処理装置及び基板温度制御方法

発明者： 越野 圭二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094755
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302785
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 被処理基板とステージ間に熱輸送用ガスを流して基板温度の制御を行う基板処理装置において, 基板温度の制御性を向上する。【構成】 1)排気口を有する処理室 1と, 該処理室内に被処理基板 3を載置するステージ 4と,該ステージ 4と被処理基板 3との間にガスを供給する手段 7と,該ガスの温度を変更できる手段 8とを有する基板処理装置,2)前記ガスの温度制御と前記ステージの温度制御とを兼用する制御手段6Aを有する, 3)前記被処理基板 3の温度測定手段11, 111 と,該被処理基板 3の温度に応じて前記ガスの温度を変更できる手段 8に帰還をかけるガス温度制御手段12とを有する, 4)前記ガスの温度を前記ステージの温度と同等にする,5)前記被処理基板 3の温度に応じて前記ガス温度制御手段12により, 前記ガスの温度を変更できる手段 8に帰還をかける。

請求項（抜粋）：

排気口を有する処理室(1) と, 該処理室内に被処理基板(3)を載置するステージ(4)と,該ステージ(4)と被処理基板(3)との間にガスを供給する手段(7) と,該ガスの温度を変更できる手段(8) とを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 4/00 ,  C23C 14/24 ,  C23F 4/00 ,  G05D 23/00 ,  H01L 21/205