回折光波長可変方法および回折効率可変方法と磁性半導体導波路素子および磁性半導体レーザー素子ならびにそれらの製造方法と高透磁率マウント装置と磁性半導体光学素子モジュールおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105433
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293924
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】単一モード発振波長を磁場によりコントロールする半導体レーザー素子を提供する。【解決手段】 InP基板1上に積層された導波路層3と、活性層13と、磁性半導体層4と、InPクラッド層5と、InGaAsコンタクト層14よりなる。磁性半導体層4とInPクラッド層5の間には回折格子2が形成されている。p側電極15とn側電極16間に電流を流すことで、回折格子2の周期に対応した1.5μmの波長で単一モード発振する。磁場6を大きくすることで単一モード発振波長が連続的に長波長側に変化する。

請求項（抜粋）：

磁性半導体を用い、前記磁性半導体に印加する磁場の強さを変化させることにより回折光波長を変化させることを特徴とする回折光波長可変方法。

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