特許

J-GLOBAL ID：200903096100518999

III-V族化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 今泉 豊明
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-025727
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192830
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】バッファリーク電流を十分に抑制可能なIII-V族化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板(11)とチャネル層(13)との間に無添加バッファ層(12)を含むIII-V族化合物半導体装置(1)において、前記単結晶基板(11)と前記無添加バッファ層(12)の界面に、前記無添加バッファ層(12)の前記単結晶基板(11)側の界面に、又は前記無添加バッファ層(12)中に、酸素δドーピング層(12a)を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶基板とチャネル層との間に無添加バッファ層を含むIII-V族化合物半導体装置 において、 前記単結晶基板と前記無添加バッファ層の界面に、前記無添加バッファ層の前記単結晶基板側の界面に、又は前記無添加バッファ層中に、酸素δドーピング層が形成されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (28件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AB39 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK00 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM05 ,  5F102GM06 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-120635   出願人：日立電線株式会社