特許
J-GLOBAL ID：200903096102035880
炭化珪素薄膜の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316190
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172997
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【目的】 炭化珪素の成長表面で珪素原子が炭素原子に対して常に過剰となるように、炭化珪素表面での炭素と珪素の存在比を制御することにより、平滑表面が再現性良く得られツウィンの成長が抑えられた高性能のエピタキシャル薄膜からなる炭化珪素薄膜を製造する。【構成】 炭化珪素薄膜1の成長中に成長表面2の電子銃3とスクリーン4により反射電子線回折パターン5をモニタし、常に2×3パターンが観測されるように回折像の一部6の強度を、制御機7により、炭素供給用の電子線蒸着機8の出力および珪素供給用のK-CELL9の温度設定にフィードバックさせ、制御する炭化珪素薄膜形成装置を形成する。これにより、上記存在比を制御する。炭化珪素薄膜を結晶性良く再現性良く形成できる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素の表面に珪素と炭素を供給し(001)面を有する立方晶炭化珪素薄膜を形成する際、炭化珪素の成長表面で珪素原子数が炭素原子数に対して常に過剰となるように、炭化珪素表面での炭素と珪素の存在比を制御することを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, C30B 23/08
, H01L 21/20
, H01L 21/203
, C30B 25/18
