特許
J-GLOBAL ID：200903096105302315
コンタクトホールの埋め込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105267
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008207
出願日： 1991年02月07日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 コンタクトホールのみを完全に選択的に金属膜で埋め込む事によって、集積回路等に用いられる金属膜の品質を向上する。【解決手段】 金属膜4の選択気相化学堆積に関して不活性なレジスト3を酸化シリコン膜2上に形成し、レジスト3と酸化シリコン膜2の両方を通してコンタクトホールを開口した後、選択気相化学成長法でコンタクトホールに金属膜4を形成し、続いてレジスト3を剥離することでコンタクトホールを埋め込む。
請求項（抜粋）：
ジメチルアルミニウムハイドライドを用いたアルミニウム膜の選択気相化学堆積に関して不活性な薄膜を層間絶縁膜上に形成し、前記薄膜と前記層間絶縁膜の両方を通してコンタクトホールを開口した後、選択気相化学成長法で前記コンタクトホールに前記金属膜を形成し、続いて前記薄膜を剥離することを特徴とするコンタクトホールの埋め込み方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
H01L 21/285 C
, H01L 21/28 G
, H01L 21/28 301 L
, H01L 21/90 C
