特許
J-GLOBAL ID：200903096105554799
改善された半導体レーザおよびそれを製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165519
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056234
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 信頼できる半導体レーザ・ダイオードおよび信頼できる半導体レーザ・ダイオードを製造する方法を提供すること。【解決手段】 後端面(34)および前端面(33)で終端する導波路を含む半導体レーザ・ダイオード(30)。これらの端面(33、34)は、前記導波路内で前記前端面(33)における光の定在光波からの制御された減結合をもたらす反射率を有する前端面コーティング(31B)および後端面コーティング(21A)を含む。前端面コーティング(31B)は、光が前記定在光波から減結合される前記前端面(33)における光波の強度が極小値を有するように前記導波路内で前記定在光波の位相シフトをもたらす層のスタックを含む。
請求項（抜粋）：
後端面および前端面で終端する導波路と、前記導波路内で前記前端面における光の定在光波からの制御された減結合をもたらす反射率を有する前端面コーティングおよび後端面コーティングとを含み、前記前端面コーティングが、前記光が前記定在光波から減結合される前記前端面における光波の強度が極小値を有するように、前記導波路内で前記定在光波の位相シフトをもたらす層のスタックを含むことを特徴とする半導体レーザ・ダイオード。
引用特許：
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