特許
J-GLOBAL ID：200903096108804451
高周波発振器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊谷 公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358365
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204405
出願日： 1992年12月26日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 ストリップ線路の長さなどを変えなくても発振周波数の調整が容易で、小型軽量、信頼性の高い高周波発振器とする。【構成】 P+ 層4、N層3、N+ 層2からなるインパットダイオードと、N+層2とP型シリコン基板1とからなる可変容量ダイオードとを同一基板1に逆方向接続で形成し、共振器となるマイクロストリップ線路12を陰極9に接続する。陽極16にインダクタンスと容量を接続する。陽極と陰極に逆バイアス電圧を印加して電子雪崩降伏を起こし、交流電圧を重畳してキャリアを増倍させ、マイクロストリップ線路の共振器作用により発振させる。陽極と陰極との間に逆バイアス電圧を印加して空乏層の拡がりによる容量をマイクロストリップ線路に付加する。陽極と陰極との間に印加する逆バイアス電圧の調整のみで所望の発振周波数を得ることができる。
請求項（抜粋）：
(A)第1導電型の半導体基板と、(B)該半導体基板の一主面側に形成された第2導電型の第1領域と、該第1領域の所定領域に形成された第2導電型の第2領域と、該第2領域の表面に形成された第1導電型の第3領域と、該第3領域の表面に設けられた第1電極と、前記第1領域の前記所定領域以外の領域に設けられた第2電極とからなるインパットダイオードと、(C)前記半導体基板の反対側の主面に前記第1領域に向い合って設けられる第3電極と、前記第2電極とを陽極(または陰極)および陰極(または陽極)とする可変容量ダイオードと、(D)前記第2電極に接続し、かつ前記半導体基板とは絶縁膜で絶縁されて設けられ、L-C共振器となるマイクロストリップ線路と、(E)前記第3電極に接続して設けられる並列接続のインダクタンスおよび容量と、(F)前記マイクロストリップ線路と容量結合して発振信号を外部に引出す出力線と、(G)前記インパットダイオードに逆バイアス電圧を印加する手段と、(H)前記可変容量ダイオードに逆バイアス電圧を印加する手段とを備えたことを特徴とする高周波発振器。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 29/90
, H03B 5/18
