特許
J-GLOBAL ID：200903096110162513
光変調器/半導体レーザ集積化光源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224353
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078960
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 光変調器/半導体レーザ集積化光源に関し、光変調器側の端面に窓部分を形成した場合、光吸収層を含んだリッジの先端と埋め込み成長層との間に空所が発生することを簡単な手段を採ることで防止することを可能にして、光変調器/半導体レーザ集積化光源の性能を向上させようとする。【構成】 平面で見た全体がT字状(或いはY字状或いは傘形状)をなし、半導体レーザ部分では少なくとも活性層を含むと共に光変調器部分では少なくとも光吸収層を含み且つ前記光変調器部分に於ける先端には前記T字状を構成する為の横バー部分31Aが存在するリッジ31と、前記リッジ31の横バー部分31Aと前記光変調器部分の端面との間に作り込まれて光の反射を低減させる窓構造とが含まれる。
請求項（抜粋）：
平面で見た全体がT字状をなしていて半導体レーザ部分では少なくとも活性層を含むと共に光変調器部分では少なくとも光吸収層を含み且つ前記光変調器部分に於ける先端には前記T字状を構成する為の横バー部分が存在するリッジと、前記リッジの横バー部分と前記光変調器部分の端面との間に作り込まれて光の反射を低減させる窓構造とが含まれてなることを特徴とする光変調器/半導体レーザ集積化光源。
IPC (2件)：
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