特許
J-GLOBAL ID：200903096117666924
集積回路装置用平坦化膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245354
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097162
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】集積回路装置の多層配線構造内の配線層の下地面の凹凸を緩和する平坦化膜内の残留ガスを減少させる。【構成】図1(a) の絶縁膜14により覆われた凹凸面に平坦化膜用液状材料をスピンコートして面内の凹所を埋め、図1(b) の第1焼成工程でこれを固化かつ焼成して平坦化膜15とし、次に図1(c) のエッチバック工程でこの平坦化膜15を絶縁膜14の凸面14aが露出するまでエッチングしてその内部を露出させた上で、図1(d) の第2焼成工程で平坦化膜15を真空中でその内部までよく焼成して残留ガスを減少させ、引き続いて表面を絶縁膜16で被覆して平坦化膜15を絶縁膜14と16で囲まれた凹所内に閉じ込めて上層側配線膜17の下層側配線膜13との接続部のアルミに残留水分が接触しないようにする。
請求項（抜粋）：
集積回路装置の絶縁膜で覆われた凹凸面の凹所を埋めるように平坦化膜を成膜する方法であって、平坦化膜用液状材料を絶縁膜の全面にスピンコートする塗布工程と、塗布された液状材料を平坦化膜に固化させかつ焼成する第1焼成工程と、平坦化膜をエッチングして絶縁膜中の凸面を露出させるエッチバック工程と、凹所内に残った平坦化膜を焼成する第2焼成工程とを含むことを特徴とする集積回路装置用平坦化膜の成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
