特許
J-GLOBAL ID：200903096121211621
リードフレームの部分貴金属めっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-199765
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282103
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】 ICの組み立て条件によらず、リードフレームに起因するデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない銅合金製のリードフレームを作製するための、リードフレームの作製方法を提供する。【解決手段】 銅合金材からなり、ワイヤボンディング用ないしダイボンディング用の、銀、金、パラジウムの少なくとも1つからなる部分貴金属めっきが施され、且つ、少なくとも封止樹脂と接する側の銅部表面の全部ないし所定の部分に、銀、金、白金、パラジウムの少なくとも1つからなる薄い貴金属めっきが施されている樹脂封止型の半導体装置用リードフレームの部分貴金属めっき法であって、少なくとも、順に、(A)外形加工された銅合金からなるリードフレーム素材の表面に銅めっきを施す工程と、(B)銅めっきが施されたリードフレームの表面の全部ないし所定の部分に薄い貴金属めっきを施す工程と、(C)部分貴金属めっきを施す工程とを有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
銅合金材からなり、ワイヤボンディング用ないしダイボンディング用の、銀、金、パラジウムの少なくとも1つからなる部分貴金属めっきが施され、且つ、少なくとも封止樹脂と接する側の銅部表面の全部ないし所定の部分に、銀、金、白金、パラジウムの少なくとも1つからなる薄い貴金属めっきが施されている樹脂封止型の半導体装置用リードフレームの部分貴金属めっき法であって、少なくとも、順に、(A)外形加工された銅合金からなるリードフレーム素材の表面に銅めっきを施す工程と、(B)銅めっきが施されたリードフレームの表面の全部ないし所定の部分に薄い貴金属めっきを施す工程と、(C)部分貴金属めっきを施す工程とを有することを特徴とするリードフレームの部分貴金属めっき方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F067DC16
, 5F067DC17
, 5F067DC18
, 5F067DE01
, 5F067DE13
, 5F067DF01
審査官引用 (3件)
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特開昭62-163353
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特開昭62-163353
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特開昭61-078150
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