特許
J-GLOBAL ID:200903096122699040
低反射帯電防止膜およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-267163
公開番号(公開出願番号):特開平5-070181
出願日: 1991年09月18日
公開日(公表日): 1993年03月23日
要約:
【要約】【目的】高硬度,高付着力を持つ低反射帯電防止膜を、高温に加熱することなく、生産性良く製造する。【構成】導電性酸化スズの粒子を分散させた水溶液を高温高圧処理し、これに、Ti(C5H7O2)n(OR)mを含む液、及びSi(OR)mRn を含む液を添加した液を塗布し、加熱して導電膜を形成する。次いで、Si(OR)mRn を含む液を塗布し、加熱して低屈折率膜を形成する。
請求項(抜粋):
導電性酸化スズの粒子を分散させた水溶液を高温高圧処理した溶液を含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱して導電膜を形成し、その上に、該導電膜より屈折率の小さい低屈折率膜を形成して、2層からなる低反射帯電防止膜を製造することを特徴とする低反射帯電防止膜の製造方法。
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