特許
J-GLOBAL ID：200903096125659627
シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
落合 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127091
公開番号（公開出願番号）：特開平8-091993
出願日： 1989年05月30日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子製造工程中のいかなる熱処理によっても安定した抵抗率を示す、窒素が添加されたシリコン基板の製造方法および品質管理方法を提供する。【構成】 単結晶の育成中に窒素が添加されたシリコン単結晶基板について、少なくとも半導体素子製造工程前に900°C〜1250°Cの間のいずれかの温度で保持して約10分〜1時間加熱し、抵抗率を単結晶育成直後の値に回復させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶の育成中に窒素を添加する工程と、前記シリコン単結晶を切断する工程と、切断されたシリコン単結晶基板を、少なくとも半導体素子製造工程前に900°C〜1250°Cの間のいずれかの温度で保持して約10分〜1時間加熱し、抵抗率を単結晶育成直後の値に回復させる工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 13/12
, H01L 21/324
