不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242708
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106442
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】情報書き込み・消去のための電圧を従来に比べ低減出来る新規な構造の不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【構成】 P型シリコン基板31と、該基板31に互いに離間して設けられたN型ソース領域35及びN型ドレイン領域37とを具える。さらに、ソース領域35及びドレイン領域37の間の半導体基板部分31a(チャネル領域31a)の一部を凸状部分39としてある。トンネル絶縁膜41、浮遊ゲート電極43、ゲート間の層間絶縁膜45及び制御ゲート電極47を、前記凸状部分39並びにチャネル領域31a含む領域上に設ける。【効果】トンネル絶縁膜41の、凸状部分39上の部分では他の部分より電界強度が高くなるので低電圧でもトンネル電流が発生し易くなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板に互いに離間して設けられた第2導電型の第1及び第2の不純物領域と、これら第1及び第2の不純物領域間の半導体基板部分を含む領域上に順次に積層されている第1の絶縁膜、第1の導電体層、第2の絶縁膜及び第2の導電体層とを具える不揮発性半導体記憶装置において、第1の不純物領域と、第2の不純物領域と、これら第1及び第2の不純物領域間の半導体基板部分とで構成される領域の一部を凸状としてあり、第1の絶縁膜、第1の導電体層、第2の絶縁膜及び第2の導電体層を、前記凸状部分の少なくとも一部並びに前記第1及び第2の不純物領域間の半導体基板部分を含む領域上に設けてあることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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