特許

J-GLOBAL ID：200903096128876467

ポジ型レジスト組成物

発明者： 曽根 篤 ,  谷島 幹男
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207919
公開番号（公開出願番号）：特開平8-095240
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 プロファイル、感度、耐熱性、焦点深度ばかりでなく、基板との接着性にも優れ、更に露光破裂を発生しない新たなレジスト組成物を提供する。【構成】 1または2個のヒドロキシル基を有する少なくとも1種類のフェノール類をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂とキノンジアジドエステルとを含有してなるポジ型レジスト組成物であって、該樹脂が、(1)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算重量平均分子量が1500〜5000、(2)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算分子量で?@900未満の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して25%以下、?A6000以下の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して80%以上である樹脂(A)を含むアルカリ可溶性樹脂であるポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

1または2個のヒドロキシル基を有する少なくとも1種類のフェノール類をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂とキノンジアジドエステルとを含有してなるポジ型レジスト組成物であって、該樹脂が、(1)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算重量平均分子量が1500〜5000、(2)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算分子量で?@900未満の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して25%以下、?A6000以下の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して80%以上である樹脂(A)を含むアルカリ可溶性樹脂であるポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027