特許

J-GLOBAL ID：200903096132156711

量子細線装置および製法

発明者： 岡島 芳彦 ,  加藤 和男 ,  森谷 吉久
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176497
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置に利用される半導体量子細線装置及びその製法を得る。【構成】 絶縁物層10で被覆された面と単結晶基板が露出している面を有する単結晶基板1と、該単結晶基板が露出している面上にVLS成長法により形成された針状単結晶からなる量子細線15により構成された量子細線装置およびその製法。

請求項（抜粋）：

絶縁物層で被覆された面と単結晶基板が露出している面を有する単結晶基板と、該単結晶基板が露出している面上にVLS成長法により形成された針状単結晶からなる量子細線により構成されたことを特徴とする量子細線装置。

IPC (2件)：

H01L 21/208 ,  H01L 29/06