特許

J-GLOBAL ID：200903096138164163

新規な炭素系の炭化水素吸蔵体、及びその製造法

発明者： 王 正明 ,  星野尾 恭美子 ,  山岸 美貴
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 佐伯 憲生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-047737
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】本発明は、一枚の原子層を持つグラファイトを出発物質にソフト化学的な手法により、メタンなどの炭化水素貯蔵に理想的な吸蔵体を創出する。【解決手段】本発明は、(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程、(2)次いでこのグラファイト酸化物の層面間距離を拡大する工程、及び(3)拡大された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間に含炭素化合物の炭化処理物を形成させる工程からなる、層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大された炭素の層を有し、かつそれらの層が含炭素化合物の炭化処理物により維持されていることを特徴とする炭素系のメタンなどの炭化水素吸蔵材料の製造方法、及び当該方法により製造された炭素系の炭化水素吸蔵材料に関する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程、(2)次いでこのグラファイト酸化物の層面間距離を固定化する工程、及び(3)固定化された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間に含炭素化合物の炭化処理物を形成させる工程からなる、層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大された炭素の層を有し、かつそれらの層が含炭素化合物の炭化処理物により維持されていることを特徴とする炭素系の炭化水素吸蔵材料の製造方法。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101B

Fターム (13件)：

4G146AA01 ,  4G146AB01 ,  4G146AC04B ,  4G146AC09B ,  4G146AC28B ,  4G146AD32 ,  4G146BA02 ,  4G146BB06 ,  4G146BB07 ,  4G146BB11 ,  4G146BC03 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 新規メソポーラス炭素構造体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-381293   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 多孔質グラファイト複合材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-392871   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所