特許
J-GLOBAL ID:200903096141330619

半導体キャリア

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小野 尚純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-196673
公開番号(公開出願番号):特開2001-024101
出願日: 1999年07月09日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 熱膨張率および熱伝導率が安定し半導体素子の長期信頼性を得ることができるとともに、キャリアベース部を鉄系金属で形成された基板に直接溶接することが可能な安価に製造することができる半導体キャリアを提供する。【解決手段】 半導体素子を搭載するマウント部を備えたキャリアベース部を有する半導体キャリアであって、キャリアベース部は、タングステン系粉末とその他の金属粉末とが攪拌混合された混合粉末によって一体成形された成形体を、ヘビーアロイメカニズム理論で焼結した合金によって構成されている。
請求項(抜粋):
半導体素子を搭載するマウント部を備えたキャリアベース部を有する半導体キャリアにおいて、該キャリアベース部は、タングステン系粉末とその他の金属粉末とが攪拌混合された混合粉末によって一体成形された成形体を、ヘビーアロイメカニズム理論で焼結した合金によって構成されている、ことを特徴とする半導体キャリア。

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