特許

J-GLOBAL ID：200903096142498726

バリアメタルの製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298569
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144629
出願日： 1996年11月11日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 バリアメタルとしてバリア性の高い窒化チタンシリサイド膜を、薄く、かつ段差被覆性良く形成する。【解決手段】 半導体基板1上にシリコン酸化膜2を形成した後、接続孔3を形成する。この表面にチタン膜4を形成し、その上に窒化チタン膜5を熱CVD法により形成する。次に、シランプラズマ9中に窒化チタン膜5を晒すことにより、窒化チタンシリサイド膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)熱CVD法を用いて窒化チタン膜を形成する工程と、(b)前記窒化チタン膜にシリコンを導入して窒化チタンシリサイド膜を形成する工程とを備えるバリアメタルの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/88 M