特許

J-GLOBAL ID：200903096143810073

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 菅原 安浩 ,  飯島 晋平 ,  大路 譲 ,  山本 直樹 ,  福田 直樹 ,  神保 智子 ,  石井 雪乃 ,  田辺 義和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213073
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044387
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 金属で構成された容量素子の下部電極の上部に堆積した結晶性金属酸化物からなる高誘電体膜を改質・結晶化するためのアニールを行う際、下地の金属下部電極が酸化されるのを防止する。【解決手段】 W膜26によって構成された容量素子の下部電極の上部に酸化タンタル膜28によって構成された容量絶縁膜を堆積した後、水素+亜酸化窒素混合ガス雰囲気中でアニールを行うことにより、W膜26の酸化を抑制しつつ、酸化タンタル膜28を改質・結晶化する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体基板の主面上に容量素子の下部電極を構成する金属膜を形成する工程、(b)前記金属膜の上部に前記容量素子の容量絶縁膜を構成する高誘電体膜を形成する工程、(c)水素と亜酸化窒素との混合ガス雰囲気中でアニールを行うことにより、前記高誘電体膜を改質・結晶化する工程。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (14件)：

5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA03 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40