特許
J-GLOBAL ID：200903096146424530
薄膜半導体材料形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006982
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203822
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 強度分布に周期性をもった線状の熱源を容易にしかも精度良く形成して半導体基板に照射する薄膜半導体材料形成装置を提供する。【構成】 線状熱源からの放射に対して互いに透過性の異なる少なくとも2つの領域を有する部材を備え、線状熱源もしくは多結晶または非晶質Si膜が形成された半導体基板を相対的に移動させながら、線状熱源からの放射をその部材を透過させて半導体基板に照射することにより、部分的に結晶欠陥のない薄膜半導体材料を形成できる。
請求項（抜粋）：
絶縁性材料上に多結晶もしくは非晶質Si膜が形成された半導体基板を長さ方向に強度分布が略均一な線状熱源に対向する位置に配置し、前記線状熱源からの放射が前記半導体基板を均等に照射するように前記線状熱源もしくは前記半導体基板を相対的に移動することにより前記多結晶もしくは非晶質Si膜を単結晶Si膜に溶融再結晶化する薄膜半導体材料形成装置において、前記線状熱源からの放射に対して互いに透過性の異なる少なくとも2つの領域を有する部材を備え、前記線状熱源からの放射を前記部材を透過させた後に前記半導体基板に照射することを特徴とする薄膜半導体材料形成装置。
IPC (2件)：
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