特許
J-GLOBAL ID：200903096154057652
ゲート酸化物の拡散隔膜特性の改良法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217652
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079509
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 MOSFETトランジスターのゲート酸化物の拡散隔膜特性を改良する。【解決手段】 ゲート酸化物の拡散隔膜特性が改良されたMOSFETを提供する方法であって、暴露したゲート酸化物表面を有する、部分的に制作したMOSFETを与えることから成る上記方法。MOSFET制作の間、窒素のイオンラジカル、フリーラジカルの一方又は両方を前記の暴露したゲート酸化物表面に適用することによって、前記の暴露したゲート酸化物表面はオキシナイトライドに転換する。次いで、MOSFETの制作は標準的な手段で完成される。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化物拡散隔膜特性の改良されたMOSFETを提供する方法において、(a) ゲート酸化物表面が暴露した部分的に制作したMOSFETを提供し、(b) 窒素のイオン又はフリーラジカルの一方又は両方を前記の暴露したゲート酸化物の表面に適用することによって、前記表面を、オキシナイトライドに転換し、(c) 前記のMOSFETの制作を完了する段階を含んでなる、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 C
