特許
J-GLOBAL ID：200903096158778109
半導体ウェーハの研磨方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261510
公開番号（公開出願番号）：特開平6-114725
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハの研磨工程において、面粗さ0.5nm 以下を達成する研磨方法および装置を提供する。【構成】 半導体ウェーハを定盤上に貼った研磨布面上で研磨剤を使用して研磨するさい、ウェーハの研磨温度を高く、一定に保持する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを定盤上に張った研磨布面上で研磨剤を使用する半導体ウェーハの研磨方法において、半導体ウェーハ保持ヘッドの内部全体を加熱し、ウェーハの研磨温度を研磨中に一定とすることを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (2件)：
B24B 37/04
, H01L 21/304 321
