特許

J-GLOBAL ID：200903096164251490

レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するためのターゲット及びその製造方法

発明者： 池上 浩 ,  松尾 美恵 ,  早坂 伸夫 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283205
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168061
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 レーザを用いて金属や絶縁物などの成膜を半導体基板上に形成するターゲットを提供することにある。【解決手段】 レーザ光を透過させる石英基板10上にレーザ照射によってガスを発生する膜(ガス発生膜)11が設けられている。このガス発生膜11としては、例えば、ニトルセルロース膜(火薬剤)を用いている。さらに、ガス発生膜11上に、金、アルミニウム、銅、シリコン、シリコン酸化物(SiO2 )、又はシリコン窒化物(Si3 N4 )のようなターゲット膜12が形成されている。前記ターゲット膜12に対向して、半導体基板を配置し、前記石英基板10上から所定形状、例えば、正方形のパターンを有するレーザ光を前記ターゲット膜12に照射することにより、前記半導体基板上に所定形状のターゲット膜12を転写することができる。

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1及び第2の表面を有する透明基板と、前記第1の表面上に設けられたガス発生膜と、前記ガス発生膜上に設けられたターゲット膜とからなり、前記第2の表面からのレーザ照射により前記ターゲット膜と対向配置された半導体基板上に成膜を形成することを特徴とするターゲット。

IPC (7件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/285 B ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/28 F ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/302 B