特許

J-GLOBAL ID：200903096165133504

電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに電界効果型トランジスタ

発明者： 谷 毅彦 ,  坂口 春典
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041768
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242167
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】ソース電極とドレイン電極に流れるリーク電流を低減することができる、電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウェハは、半導体基板1と前記半導体基板1上にエピタキシャル成長されたFET構造の半導体層6との間にAl2 O3 絶縁層5が介在されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と前記半導体基板上にエピタキシャル成長されたFET構造半導体層との間に絶縁層が介在されている構造であることを特徴とする電界効果型トランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 626 C