特許
J-GLOBAL ID：200903096166338215
磁気トンネル素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149386
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341047
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 安定的に磁気トンネル効果を発現させるとともに、小さい外部磁界に対しても感度よく磁気トンネリング効果を発現することができる全く新規な磁気トンネル素子を提供する。【解決手段】 磁気トンネル素子1は、第1の磁性層2と、この第1の磁性層2に積層されて磁性金属相7と絶縁相8とからなるグラニュラ構造を有するグラニュラ層3と、このグラニュラ層3の第1の磁性層2が積層された面と反対側の面に積層された第2の磁性層4とを備える。そして、この磁気トンネル素子は、第1の磁性層2及び/又は第2の磁性層4が軟磁気特性を有する強磁性材料からなるとともに、これら積層体の積層方向に電流を供給するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
第1の磁性層と、上記第1の磁性層に積層され、磁性金属相と絶縁相とからなるグラニュラ構造を有し、磁性金属相間にトンネル電流が流れるグラニュラ層と、上記グラニュラ層の上記第1の磁性層が積層された面と反対側の面に積層された第2の磁性層とを備え、上記第1の磁性層及び/又は上記第2の磁性層は、軟磁気特性を有する強磁性材料からなるとともに、これら積層体の積層方向に電流を供給するようにしたことを特徴とする磁気トンネル素子。
IPC (3件)：
H01L 43/00
, G11B 5/39
, H01F 10/00
H01L 43/00
, G11B 5/39
, H01F 10/00
