特許
J-GLOBAL ID：200903096166386120
磁気抵抗効果素子および磁気記録装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-262152
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090418
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 デュアルスピンバルブ構造の磁気抵抗効果素子において、静電放電により、磁化固着層の磁化が反転して出力が得られなくなる問題を解決するとともに、素子内部において磁化自由層に生じるバイアス磁界を打ち消して、磁界と出力の関係において非対称が生じたり、出力が飽和したりする問題を解決する方法を提供する。【解決手段】 磁化固着層に対し、反平行結合層を介して反強磁性的に結合する磁化調整層を設け、磁化調整層と磁化固着層の飽和磁化と厚さの積の値を調整する。
請求項（抜粋）：
強磁性を有する第1の磁化非固着層、磁化自由層および第2の磁化固着層がこの順序でそれぞれ非磁性の第1および第2のスペーサ層によって分離されて積層されており、前記第1および第2の磁化固着層は磁化の向きが同一方向に固着された層であり、前記磁化自由層は外部磁界に応じて磁化方向を変えることかできる層であるスピンバルブ膜を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第1の磁化固着層は前記第1のスペーサ層と反対の側に反平行結合膜を介して反強磁性結合した強磁性の第1の磁化調整層を備えており、前記第2の磁化固着層は前記第2のスペーサ層と反対の側に反平行結合膜を介して反強磁性結合した強磁性の第2の磁化調整層を備えており、前記磁気抵抗効果素子に電流を流して電流磁界を発生させた場合に、磁化調整層の飽和磁化と厚さと電流磁界との積と、磁化固着層の飽和磁化と厚さと電流磁界との積とが、前記第1の磁化固着層と前記第1の磁化調整層との間でほぼ等しく、また前記第2の磁化固着層と前記第2の磁化調整層の間でもほぼ等しくされていることを特徴とする記載の磁気抵抗効果素子。
Fターム (4件)：
5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034BA15
, 5D034CA07
