電子装置およびその製造方法、メモリ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329908
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147257
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】ヒステリシス膜の抵抗値の変化を利用した電子装置であって、自己整合プロセスにより容易に製造できる構造を有する電子装置を提供する。【解決手段】電子装置は、基板上に形成され、各々導電層を含む層構造を有する孤立パターンと、前記基板上、前記孤立パターンの近傍に形成され、前記孤立パターンと同一の層構造を有する引き出し線パターンと、前記孤立パターンと前記引き出し線パターンの相対向する一対の側壁面をそれぞれ覆うように相対向して形成され、電圧-電流特性にヒステリシスを有する一対のヒステリシス側壁膜と、前記相対向する一対のヒステリシス側壁膜上に、前記相対向する一対の側壁面の間において互いに接触するようにそれぞれ形成された一対の導電性側壁膜と、とりなり、前記引き出し線パターン上には、前記導電層にコンタクトして第1の電極が形成され、前記孤立パターン上には、前記導電性側壁膜にコンタクトして第2の電極が形成されることを特徴とする。【選択図】図4A

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、各々導電層を含む層構造を有する孤立パターンと、前記基板上、前記孤立パターンの近傍に形成され、前記孤立パターンと同一の層構造を有する引き出し線パターンと、前記孤立パターンと前記引き出し線パターンの相対向する一対の側壁面をそれぞれ覆うように相対向して形成され、電圧-電流特性にヒステリシスを有する一対のヒステリシス側壁膜と、前記相対向する一対のヒステリシス側壁膜上に、前記相対向する一対の側壁面の間において互いに接触するようにそれぞれ形成された一対の導電性側壁膜と、よりなり、前記引き出し線パターン上には、前記導電層にコンタクトして第1の電極が形成され、前記孤立パターン上には、前記導電性側壁膜にコンタクトして第2の電極が形成されることを特徴とする電子装置。

IPC (7件)：

H01L 49/00 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 27/10 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 45/00

FI (5件)：

H01L49/00 Z , H01L21/90 Z , H01L27/10 451 , H01L27/04 C , H01L45/00 Z

Fターム (35件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033VV01 , 5F033VV10 , 5F033XX33 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038CA02 , 5F038DF05 , 5F038EZ15 , 5F038EZ18 , 5F038EZ20 , 5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083PR39

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