特許

J-GLOBAL ID：200903096173500451

半導体装置の製造方法

発明者： 宇賀神 守 ,  小中 信典 ,  榊原 裕 ,  高橋 光俊
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-078517
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090280
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 バイポーラトランジスタのベース形成等の半導体装置の製造工程において、均一で高精度に濃度制御ができ、結晶欠陥のない、非常に浅い不純物層を形成すること。【構成】 シリコン基板表面に薄い絶縁膜を形成し、この絶縁膜中に不純物イオンを注入し、ついで高温短時間熱処理によって不純物イオンをシリコン基板中に浅く高濃度に導入する場合、あらかじめ不純物拡散層の拡散深さと濃度とイオン注入量および酸化膜厚との関係を求めておき、所望の絶縁膜の膜厚とイオン注入の注入量を上記の関係から選択することによって、シリコン基板中に導入する不純物の拡散深さおよび濃度を高精度に制御する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に薄い絶縁膜を形成する工程と、前記の絶縁膜中に不純物イオンを注入する工程と、ついで高温短時間熱処理によって前記不純物イオンをシリコン基板中に浅く高濃度に導入する工程とを備え、あらかじめ不純物拡散層の拡散深さおよび濃度とイオン注入量および酸化膜厚との関係を求めておき、所望の絶縁膜の膜厚とイオン注入の注入量を前記の関係から選択することによって、シリコン基板中に導入する不純物の拡散深さおよび濃度を高精度に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-205522
  
• 特公昭46-042652
  
• 特開平2-266527