特許

J-GLOBAL ID：200903096173948096

化合物半導体素子

発明者： 波多野 吾紅 ,  大場 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043581
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326416
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 高品質のGax Aly In1-x-y Nを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。【構成】 半導体レ-ザや発光ダイオ-ド等のpn接合を有する化合物半導体発光素子において、立方晶SiC基板の(111)面上にGax Aly In1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1)層を、基板と対向する結晶面がNとなるように成長させる。

請求項（抜粋）：

立方晶SiC基板と、この立方晶SiC基板の(111)面上に形成されたGax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)層とを具備することを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平2-177577
  
• 特開平4-223330
  
• 特開平4-267376
  
• 特開平4-242985
  
• 特開昭59-228776
  

審査官引用 (3件)

• 特開平2-177577
  
• 特開平2-177577
  
• 特開平4-223330