特許
J-GLOBAL ID：200903096174417060
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-174578
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 センス動作時にビット線の充放電の為に生じる電源電圧及びグランド電圧のノイズを低減し、ピーク電流を低減する。【構成】 メモリセルアレイ部1にメッシュ状に設けられたセンスアンプ用の電源線71、72及びグランド線61、62を、くし形に形成に互いに入れこにするように構成する事によって、電源線とグランド線との間に寄生容量が生じるように構成する。【効果】 電源線とグランド線との間に設けられた寄生容量がデカップリング容量として働き電源、グランドのセンス時のノイズを低減すると共にピーク電流も小さく抑える事ができる。
請求項（抜粋）：
以下の要素を有する半導体装置(a)給電と放電により所定の動作をする半導体回路、(b)上記半導体回路への給電と放電を行なう電位の異なる2つの導体を所定のレイアウトで対向するように配置し、両導体の間で、容量を保持できるようにした容量保持手段。
IPC (3件)：
G11C 11/409
, G11C 11/413
, H01L 27/108
G11C 11/34 353 E
, G11C 11/34 341 A
, H01L 27/10 325 V
