特許
J-GLOBAL ID：200903096174694314
位相シフトフオトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-047850
公開番号（公開出願番号）：特開平5-150439
出願日： 1991年03月13日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 位相シフトパターンドライエッチング時の遮光膜の劣化を防止し、垂直側面の位相シフトパターンを持つ位相シフトフォトマスクを製造する。【構成】 位相シフター16を形成する工程が、遮光パターン15と均一な厚さの透明膜16が形成された基板表面に、露光光を遮蔽ないし減衰する色の電離放射線レジストを用いて位相シフターパターンに対応する部分に電離放射線レジストパターン17を形成する工程と、電離放射線レジストパターン17が形成された基板表面全面にフォトレジスト18をコーティングし、基板裏面より全面露光19して遮光パターンと位相シフターパターンに対応する部分にフォトレジストパターン18を形成する工程と、このフォトレジストパターン18をマスクにして均一な厚さの透明膜19をドライエッチング20して位相シフターパターンを形成する工程とからなる。
請求項（抜粋）：
遮光パターンと遮光領域によって隔離されかつ相互に隣接する透明領域間に位相差を与える位相シフターとを有する位相シフトフォトマスクの製造方法において、位相シフターを形成する工程が、少なくとも遮光パターンと均一な厚さの透明膜が形成された基板表面に、電離放射線レジストを用いて位相シフターパターンに対応する部分に電離放射線レジストパターンを形成する工程と、電離放射線レジストパターンが形成された基板表面全面にフォトレジストをコーティングし、基板裏面より全面露光して少なくとも遮光パターンに対応する部分にフォトレジストパターンを形成する工程と、このフォトレジストパターン又はこのフォトレジストパターンと電離放射線レジストパターンをマスクにして均一な厚さの透明膜をドライエッチングして位相シフターパターンを形成する工程とからなることを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
