半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073480
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273302
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】熱伝達と圧力損失のトレードオフを改善した冷却流路の構造の実現と、該冷却流路を備えた半導体装置の提供。【解決手段】本発明の半導体装置は、内部に冷却媒体を流すための冷却空間を備え、前記冷却空間内に、前記冷却媒体よりも比重が小さい可動体を複数個配置し、前記冷却媒体の入口の水平面からの高さが前記出口の水平面からの高さよりも高く配置し、前記流路入口と水平面の間に支えを設けた。前記可動体はその形状が球体,楕円体,角柱である。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子を備えた主回路部と、該主回路部に制御信号を伝達するための制御回路部と、該主回路部及び該制御回路部に接続される外部入出力端子と、金属または金属化合物から成り、内部に冷却媒体を流すための冷却空間を備え、該冷却空間が該冷却媒体の入口と出口とを備え、前記冷却空間を形成する金属または金属化合物の前記冷却媒体に接していない表面の一部または表面全体に直接あるいは電気絶縁物を介して間接的に発熱源である半導体素子が接している半導体装置において、前記冷却空間内に、前記冷却媒体よりも比重が小さい可動体を複数個配置し、前記冷却媒体の入口の水平面からの高さが前記出口の水平面からの高さよりも高く配置し、前記流路入口と水平面の間に支えを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/473 ZHV , B60L 11/14 , H02M 7/48 , H05K 7/20

FI (4件)：

B60L 11/14 , H02M 7/48 Z , H05K 7/20 M , H01L 23/46 ZHV Z

Fターム (31件)：

5E322AA05 , 5E322AA07 , 5E322AA11 , 5F036AA01 , 5F036BA05 , 5F036BA10 , 5F036BB41 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CA02 , 5H007CB02 , 5H007CB05 , 5H007DB13 , 5H007EA02 , 5H007HA03 , 5H007HA06 , 5H115PC06 , 5H115PG04 , 5H115PI16 , 5H115PO06 , 5H115PO17 , 5H115PU08 , 5H115PU25 , 5H115PV09 , 5H115QE04 , 5H115QE10 , 5H115QH06 , 5H115SE04 , 5H115UI30 , 5H115UI34 , 5H115UI40

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