特許
J-GLOBAL ID：200903096183759160
ミクロ機械加工されたリレー及び当該リレーの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-518131
公開番号（公開出願番号）：特表平8-509093
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：
【要約】半導体基板(12)(例えば、多結晶シリコン)内のキャビティ(16)の両端に延在している橋絡部材(18)は、連続層、すなわち、マスク層(20)、導電層(22)(例えば、ポリシリコン)及び絶縁層(24)(例えば、二酸化珪素)を有している。第1電気接点(32)(例えば、ルテニウムでコーティングされた金)は、前記絶縁層上で、前記キャビティの両端における前記橋絡部材の延在方向に垂直な方向へ延在している。突出物(34)(例えば、金)対を、前記絶縁層上の、接点と前記各キャビティ端部との間にそれぞれ設ける。前記基板上に、初めに、前記橋絡部材(18)を形成し、その後に、接点(32)及び突出物(34)を形成する。その後、前記キャビティ(16)が、前記橋絡部材の穴を介して前記基板内でエッチングされる。第2電気接点対(44)(例えば、ルテニウムでコーティングされた金)が、絶縁基板面(14)(例えば、耐熱ガラス)上に、半導体基板に近接して配置される。接点を清浄後、2つの基板を接合する。突出物(34)が絶縁基板面と係合しているので、前記第1接点(32)は、通常前記第2接点(44)と離隔している。前記絶縁基板面上の導電層とポリシリコン層との間に電圧を供給すると、橋絡部材(18)が曲がり、前記第1接点(33)が前記第2接点(44)と係合するようにしている。リード線は、絶縁基板面上を、前記第2接点から、前記半導体基板の第2キャビティに近接して配置されたボンディングパッドへ延在している。ウェハー上の最終的なリレーは、各リレーの前記第2キャビティの位置で、前記半導体及び絶縁基板に切れ目を入れることによって分離され、電気接続用のパッドを露出させる。
請求項（抜粋）：
キャビティを有し、多結晶材料から形成される第1基板と、 前記キャビティの両端部で前記第1基板上に、両端部が支持されている橋絡部材と、 当該橋絡部材の中間位置に設けられた第1電気接点と、 絶縁材料から形成され、前記第1電気接点と係合するように配置された第2電気接点を少なくとも有している第2基板と、 前記橋絡部材上に設けられ、前記第1電気接点を前記第2電気接点から変位させるための手段と、 前記橋絡部材を選択的に移動させ、前記第1電気接点と前記第2電気接点とを係合させるための手段とを備えているリレー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01H 59/00
, H01L 29/84 B
