特許

J-GLOBAL ID：200903096184476790

液晶素子の製造方法

発明者： 川▲崎▼ 純二 ,  榎本 隆 ,  吉岡 利文
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 近島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199323
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048609
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 基板に形成された上下電極間におけるショートを防止することができる液晶素子の製造方法を提供する。【解決手段】 液晶9を挟持する一対の基板1a,1bに設けられた電極パターン4a,4bの上に絶縁層5a,5bと透明な微粒子を含有する膜6a,6bとを印刷塗布・焼成により形成する一方、これら絶縁層5a,5bと透明微粒子含有膜6a,6bの上に絶縁膜7a,7bを真空成膜することにより、絶縁層5a,5bと透明微粒子含有膜6a,6bとを絶縁膜成膜時の高真空状態に置くことができ、これにより絶縁層5a,5bと透明微粒子含有膜6a,6bとに含まれている水分を除去することができる。そして、このように水分を除去することにより、電極間におけるショートを防止することができる。

請求項（抜粋）：

液晶を挟持する一対の基板に設けられた電極パターンの上にそれぞれ第1の絶縁膜と、透明な微粒子を含有する膜と、第2の絶縁膜とを形成するようにした液晶素子の製造方法において、前記第1の絶縁膜を印刷塗布、焼成により形成する工程と、前記透明な微粒子を含有する膜を印刷塗布、焼成により形成する工程と、前記第1の絶縁膜と透明微粒子含有膜の上に前記第2の絶縁膜を真空成膜すると共に絶縁膜成膜時の高真空状態により該第1の絶縁膜と透明微粒子含有膜に含まれている水分を除去する工程と、を有してなることを特徴とする液晶素子の製造方法。