特許
J-GLOBAL ID：200903096185558056
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061115
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252107
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 Al系配線層上でビアホール加工を行う際に、Alクラウンの発生を防止する。【構成】 イオン密度が1011イオン/cm3 以上の高密度プラズマを生成できる有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置内でc-C4 F8 /CH2 F2 混合ガスを用い、Al-1%Si層1上のSiO2 層間絶縁膜2をエッチングする。ビアホール5が完成された時点でAl-1%Si層1の露出面上に蒸気圧の低い反応層6が形成されるので、本エッチングでは該反応層6がスパッタされない程度に入射イオン・エネルギーを調節し、これを高選択性の達成に利用する。ただし、高密度プラズマ中に大量のCF+ が生成しているので、エッチング速度は実用レベルに保たれる。Al-1%Si層1のスパッタが減少し、Alクラウンの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
アルミニウム系配線層の上に積層されたシリコン化合物層を選択的にエッチングするドライエッチング方法において、前記エッチングは、イオン密度が1011イオン/cm3 以上のプラズマを生成可能なエッチング装置内でフルオロカーボン系化合物を主体とするエッチング・ガスを用い、前記アルミニウム系配線層の露出面上に生成する反応層の少なくとも一部を維持し得る入射イオン・エネルギー条件下で行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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