特許

J-GLOBAL ID：200903096185845322

半導体装置及びその製造方法

発明者： 薗 陸郎 ,  斉藤 浩治 ,  竹中 正司 ,  吉本 正則
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275710
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114669
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 本発明は放熱構造を有する半導体装置に関し、かしめ工程を必要とせず放熱ブロックの寸法精度を高くすることを目的とする。【構成】 リードフレーム2の中央開口部11の下方に放熱ブロック3を該リードフレーム2と独立して位置させる。放熱ブロック3上に半導体チップ5を搭載し、インナリード2a とワイヤ5によりボンディングする。そして、放熱ブロック3における治具により露出高さが定められた先端部3b を露出させて、モールド樹脂7によりパッケージされた構成とする。

請求項（抜粋）：

樹脂モールドによりパッケージングされる半導体装置において、開口部(11)に位置する半導体チップ(5)と接続されるリードフレーム(2)と、該半導体チップ(5)を搭載して該リードフレーム(2)の中央開口部(11)下方に独立して位置し、前記パッケージより先端部(3b )を露出させた該半導体チップ(5)の放熱を行うための放熱部材(3)と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29