特許
J-GLOBAL ID:200903096186322579

ワークの両面研削加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-030163
公開番号(公開出願番号):特開平8-197396
出願日: 1995年01月27日
公開日(公表日): 1996年08月06日
要約:
【要約】【目的】 半導体ウエハ、及び、半導体チップ等のワークの高品質化、極薄化、拡径化に充分に対処できるもので、特に、粗研削されたワークに残留するダメージの解消させる研削方法を提供する。【構成】 ワークの一方面を粗研削する一方面粗研削工程と、一方面粗研削工程の後に反転手段を用いて反転させるワーク反転工程と、ワーク反転工程の後に他方面を粗研削する他方面粗研削工程と、他方面粗研削工程の後に反転手段を用いて反転させる再ワーク反転工程と、再ワーク反転工程の後に一方面を仕上研削する一方面仕上研削工程と、一方面仕上研削工程の後に反転手段を用いて反転させる再々ワーク反転工程と、再々ワーク反転工程の後に他方面を仕上研削する他方面仕上研削工程とを含むものである。
請求項(抜粋):
半導体ウエハ等のワークの両面へ夫々粗研削加工と仕上研削加工とをする研削加工方法であって、前記ワークの一方面を粗研削する一方面粗研削工程と、該一方面粗研削工程の後に反転手段を用いて反転させるワーク反転工程と、該ワーク反転工程の後に他方面を粗研削する他方面粗研削工程と、他方面粗研削工程の後に反転手段を用いて反転させる再ワーク反転工程と、該再ワーク反転工程の後に一方面を仕上研削する一方面仕上研削工程と、該一方面仕上研削工程の後に反転手段を用いて反転させる再々ワーク反転工程と、該再々ワーク反転工程の後に他方面を仕上研削する他方面仕上研削工程とを含むことを特徴とするワークの両面研削加工方法。

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