特許

J-GLOBAL ID：200903096194552168

磁気メモリ装置

発明者： 五十嵐 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-163957
公開番号（公開出願番号）：特開2002-358775
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 MRAMに代表される磁気メモリ装置おいて、低消費電力化、高速書き込み、および安定動作を実現可能にする。【解決手段】 磁気抵抗効果型の記憶素子1と、その磁化容易軸方向に磁界を誘起する第一書き込み線2と、磁化困難軸方向に磁界を誘起する第二書き込み線3とを備え、これらが発生する電流磁界により記憶素子1の磁化方向を反転させる磁気メモリ装置において、前記第一書き込み線2における電流パルスの持続時間tBLと、前記第二書き込み線3における電流パルスの持続時間tWLと、両者の時間差tholdとが、tBL=tWL+thold(ただしthold>0)の関係を満たすように、電流パルスの印加タイミングを制御する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果型の記憶素子と、当該記憶素子の磁化容易軸方向に磁界を誘起する第一書き込み線と、前記記憶素子の磁化困難軸方向に磁界を誘起する第二書き込み線とを備え、前記第一書き込み線および前記第二書き込み線が発生する電流磁界により前記記憶素子の磁化方向を反転させる磁気メモリ装置において、前記記憶素子の磁化方向を反転させるときの前記第一書き込み線における電流パルスの持続時間tBLと、前記第二書き込み線における電流パルスの持続時間tWLと、両者の時間差tholdとが、tBL=tWL+thold(ただしthold>0)の関係を満たすように構成されたことを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 E ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083LA10