特許
J-GLOBAL ID：200903096196526520
基体の膜形成面清浄化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-161427
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013394
出願日： 1991年07月02日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 基体の膜形成面を基体に悪影響を及ぼすことなく清浄化できる基体の膜形成面清浄化方法を提供する。【構成】 膜形成用基体3を真空容器6内に収納し、真空容器6に導入したハロゲン元素含有ガスをプラズマ化して基体3の膜形成面を該プラズマに曝すとともに、別に準備したイオン源1を用いて、所定の加速エネルギで加速された、水素元素を含有するイオンを前記膜形成面に照射することにより、該膜形成面を清浄化する基体の膜形成面清浄化方法。
請求項（抜粋）：
膜形成用基体を真空装置内に収納し、前記真空装置内に導入したハロゲン元素含有ガスをプラズマ化して前記基体の膜形成面を該プラズマに曝すとともに、別に準備したイオン源を用いて、所定の加速エネルギで加速された、水素元素を含有するイオンを前記膜形成面に照射することにより、該膜形成面を清浄化する基体の膜形成面清浄化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, C23G 5/00
, H01L 21/302
