レジスト膜の灰化方法と灰化装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297610
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109674
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】酸素プラズマによるアッシングによるレジスト膜の灰化方法のように、半導体素子が傷つくということはなく、また低圧水銀ランプによる灰化方法のように処理時間に時間はかかるということはない灰化方法と灰化装置を提供する。【構成】レジスト膜を持つウエハ6を、オゾンを雰囲気の中に配置して、200〜300nmの波長範囲に連続スペクトル発光を持つ紫外線発光ランプ3の放射光によって、活性化酸素を作り、この活性化酸素によってレジスト膜を灰化する方法と装置である。

請求項（抜粋）：

レジスト膜を持つウエハを、オゾンを含む雰囲気の中に配置して、200〜300nmの波長範囲に連続スペクトル発光を持つ紫外線発光ランプの放射光によって活性化酸素を作り、この活性化酸素によって、該レジスト膜を灰化することを特徴とするレジスト膜の灰化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , G03F 7/42 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-181531
特開平3-205822
特開昭63-232331

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