特許
J-GLOBAL ID：200903096201990451
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-193028
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036609
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】異物の生成を極力低減できるようにし、かつ異物が生成してもこれを容易に除去できるようにして生産性を大きく向上できるようにする。【構成】保温カバー11を、反応管1内部のガス排気口周辺に取り付けて、該周辺を保温することで、該周辺での反応生成物の付着をなくする。
請求項（抜粋）：
反応管と、保温カバーとを有し、反応管は、内部に収納された半導体基板に対して所要の圧力および加熱状態のもと内部に供給された反応ガスでもって所要の反応処理を行うものであるとともに、該反応ガスをガス排気口から外部に排気するものであり、保温カバーは、反応管内部のガス排気口周辺に取り付けられて、該周辺を保温する作用を有するものであることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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