特許

J-GLOBAL ID：200903096203440190

クリーニング方法

発明者： 嶋津 正 ,  井上 雅彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185839
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007620
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置の基板載置部を長寿命化して、その交換頻度の低減を図ることができるクリーニング方法を提供する。【解決手段】 クリーニング前に基板載置部の表面にクリーニング時のプラズマエッチングに対する保護膜(SiN膜)を形成する。また、基板載置部にバイアスを印加することにより、或いは、基板載置部を加熱して、基板載置部の表面温度を基板載置部以外の部分の温度よりも、保護膜の形成に適した高温にすることにより、基板載置部以外の部分に形成される保護膜よりも、前記プラズマエッチングに対する耐性の高い良質な保護膜を、基板載置部の表面に形成する。また、前記プラズマエッチングの際、基板載置部の表面に形成する保護膜のエッチング時間と、基板載置部以外の部分に形成される保護膜及び絶縁膜のエッチング時間とが等しくなるようにこれらの膜厚を設定する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD装置の成膜室において基板上に所定の膜を形成するときに前記成膜室内の前記基板以外の部分に付着する前記膜を、前記成膜室内にクリーニングガスを供給してプラズマ状態にし、このプラズマによる化学的なエッチングによって除去するクリーニング方法において、クリーニング前に前記成膜室に保護膜形成用ガスを供給してプラズマ状態とすることにより、前記基板を載置する基板載置部の表面にクリーニング時のプラズマエッチングに対する保護膜を形成することを特徴とするクリーニング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 A

Fターム (29件)：

4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  4K057DA02 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DM01 ,  4K057DM35 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045DP04 ,  5F045EB06 ,  5F045EC05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EH20 ,  5F045EK07 ,  5F045EK30 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045GB09 ,  5F045GB15 ,  5F045HA13