特許
J-GLOBAL ID:200903096208432594
表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び表面弾性波素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-310370
公開番号(公開出願番号):特開2003-112995
出願日: 2001年10月05日
公開日(公表日): 2003年04月18日
要約:
【要約】【課題】 表面弾性波の伝搬速度が大きく、かつ伝搬損失が小さいダイヤモンド薄膜を備える表面弾性波素子用ダイヤモンド基板及び表面弾性波素子を提供する。【解決手段】 フィラメントCVD法を用いて、厚さ0.8mmのシリコンウェハ220上に厚さ20μmのダイヤモンド薄膜240を形成する。ここで、ダイヤモンド薄膜240の水素含有量を原子比で1%以上5%以下に調整する。ダイヤモンド砥粒を含む砥石を使った機械研磨により、表面の算術平均粗さ(Ra)が20nm以下になるようダイヤモンド薄膜240を平滑化する。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上に形成されるダイヤモンド薄膜により構成される表面弾性波素子用ダイヤモンド基板であって、前記ダイヤモンド薄膜の水素含有量が原子比で1%以上5%以下であり、前記ダイヤモンド薄膜の表面の算術平均粗さ(Ra)が20nm以下であることを特徴とする表面弾性波素子用ダイヤモンド基板。
IPC (4件):
C30B 29/04
, C23C 16/27
, H03H 9/145
, H03H 9/25
FI (4件):
C30B 29/04 W
, C23C 16/27
, H03H 9/145 C
, H03H 9/25 C
Fターム (17件):
4G077AA03
, 4G077BA03
, 4G077DB01
, 4G077DB21
, 4G077ED06
, 4G077FG11
, 4G077HA04
, 4G077TA04
, 4K030BA28
, 4K030CA04
, 4K030FA17
, 5J097AA01
, 5J097FF02
, 5J097FF04
, 5J097HA03
, 5J097HB08
, 5J097KK09
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (1件)
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Characterization and in situ testing of diamond films
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