特許
J-GLOBAL ID：200903096210187394
GaP系発光素子基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322381
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151961
出願日： 1992年11月07日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 輝度のバラツキが少なく且つ高輝度のGaP系発光ダイオードを製造することができるGaP系発光素子基板を得る。【構成】 n型GaP単結晶基板11上にn型GaPバッファ層12、n型GaP層13及びp型GaP層14を順次積層してなるGaP系発光素子基板10において、前記n型GaPバッファ層12中の酸素濃度を6×1015[atoms/cm3]以下とする。
請求項（抜粋）：
n型GaP単結晶基板上にn型GaPバッファ層、n型GaP層及びp型GaP層を順次積層してなるGaP系発光素子基板において、前記n型GaPバッファ層中の酸素濃度が6×1015[atoms/cm3]以下であることを特徴とするGaP系発光素子基板。
引用特許：
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