特許
J-GLOBAL ID:200903096214224448
半導体集積回路装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-302093
公開番号(公開出願番号):特開平11-144458
出願日: 1997年11月04日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】 階層形ワード線構造における配線の寄生容量による充放電電流を低減し、消費電力を大幅に低減させ、かつレイアウト面積を小さくする。【解決手段】 メインワードドライバ部9のレベル変換回路9b1 、レベル変換回路9b2 によりメインワードドライバ9aの駆動信号、選択信号を電源電圧VCCから昇圧電源VPPに変換し、ワインワード線MWLおよび選択信号線FXを介してサブワードドライバ10に出力する。サブワードドライバ10はレベル変換機能を有しており、サブワード線振幅時の低電圧レベルをグランド電位VSSから-1.0V程度の負電圧VNNに降圧し、昇圧電源VPP〜負電圧VNNによりサブワード線SWLの振幅を行う。
請求項(抜粋):
メインワード線によって共通制御が行われ、前記メインワード線を多分割化してサブワード線とした階層形ワード線構成により構成され、前記サブワード線振幅の低電圧レベルを基準電圧よりも低い負電圧にするネガティブワード線方式の半導体集積回路装置であって、プリデコード信号に基づいて前記メインワード線の駆動を行う駆動信号ならびに駆動された前記メインワード線に対応する選択信号を出力するメインワードドライバと、前記メインワードドライバの選択信号を第1の電圧に昇圧する第1の昇圧回路と、前記メインワードドライバの駆動信号を第1の電圧に昇圧する第2の昇圧回路とから構成されるメインワードドライバ手段と、前記メインワードドライバの駆動信号、選択信号によって選択された場合に、前記第1の昇圧回路の第1の電圧を前記サブワード線に供給し、非選択の場合に基準電位を第1の負電圧に変換して前記サブワード線に供給するレベル変換サブワードドライバとを設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件):
G11C 11/407
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
FI (2件):
G11C 11/34 354 D
, H01L 27/10 681 A
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