特許

J-GLOBAL ID：200903096215172158

微構造体およびその製造方法

発明者： 森本 廉 ,  平井 義彦 ,  照井 康明 ,  丹羽 正昭 ,  安井 十郎 ,  岡田 健治 ,  宇田川 昌治 ,  幸 康一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224122
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板と酸化膜で分離された微構造体を提供する。【構成】 シリコン(100)基板上に、結晶面方位(111)面を酸化して得られた側壁23を有する、断面が三角形の構造体14の頂上部分に、結晶面方位(111)面を酸化して得られた側壁を有する断面が逆三角形状の微細構造体15が形成されいる。この微細構造体15が側壁酸化膜23によって断面が三角形の構造体14と分離されている。

請求項（抜粋）：

シリコン(100)基板上に、結晶面方位(111)面を酸化して得られた側壁を有する断面が三角形状の構造体を具備し、前記構造体の頂上部分に、結晶面方位(111)面を酸化して得られた側壁を有する断面が逆三角形状の微細構造体を具備し、前記微細構造体が酸化膜によって前記構造体と分離されていることを特徴とする微構造体。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66