特許

J-GLOBAL ID：200903096215545434

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 奥野 英一 ,  小島 淳
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106371
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。【解決手段】 p型ベース領域3の表層部に窒素(N+ )をイオン注入する。そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、p型ベース領域3の表層部をアモルファス化させてアモルファス層40を形成する。その後、固相成長により、不純物を取り込ませつつアモルファス層40を結晶化させて表面チャネル層5を形成する。このように、不純物がドーピングされたアモルファス層40を結晶化させて表面チャネル層5を形成すれば、確実に不純物を格子位置に置換させることができるため、不純物の活性化率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる半導体層(2)と、該半導体層に隣接し、炭化珪素にドーピングされた不純物を活性化させて形成した不純物層(3)とを有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記半導体層に隣接するように、n型又はp型不純物がドーピングされた炭化珪素からなるアモルファス層(40)を形成する工程と、固相成長により、前記不純物を取り込ませつつ前記アモルファス層を結晶化させて前記不純物層を形成する工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T