特許

J-GLOBAL ID：200903096215639862

半導体装置、及びその製造方法、並びに放射線検出装置

発明者： 渡邉 実 ,  望月 千織
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101511
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368229
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 オフ電流の増加がなく、転送効率の優れた薄膜トランジスタを有する半導体装置、及びその製造方法、並びにそれを用いた放射線検出装置を提供すること。【解決手段】 ボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置においてソース・ドレイン電極6の下部にある半導体層4の層厚t2をソース・ドレイン電極6間のギャップ部にある半導体層4の層厚t1よりも薄くする。

請求項（抜粋）：

基板の絶縁性表面上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を介して設けられた半導体層と、前記半導体層に隣接する一対の半導体ドーピング層と、該半導体ドーピング層に隣接する一対の導電体からなるソース・ドレイン電極とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを備えた半導体装置において、前記ソース・ドレイン電極の下部にある前記半導体層の層厚が、前記ソース・ドレイン電極間のギャップ部にある前記半導体層の層厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09

FI (4件)：

H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A

Fターム (72件)：

4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  5F088AA01 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088HA15 ,  5F088KA03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HM02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ25